FT61E045-RB

特性 ? 精簡(jiǎn)指令集架構(gòu) ? 8 層硬件堆棧 x12bit ? 2T 或 4T 指令周期 ? 4Kx14b 程序存儲(chǔ)空間 i. 程序存儲(chǔ)空間的 checksum 自動(dòng)校驗(yàn) ii. 可配置，User Option ? 256x8b 數(shù)據(jù) EEPROM i. 數(shù)據(jù) EEPROM 在應(yīng)用編程 ii. 可配置，F(xiàn)actory Option ? 高耐用性 EEPROM 程序和數(shù)據(jù) EEPROM 可經(jīng)受 10 萬(wàn)次寫(xiě)操作 i. EEPROM 保存時(shí)間 > 40 年 ? 256x8b SRAM ? 1 x 帶 8 位預(yù)分頻的定時(shí)器 0 ? 1 x 帶 3 位預(yù)分頻的 16 位定時(shí)器 1 ? 1 x 帶 8 位預(yù)分頻的定時(shí)器 2 i. 慢時(shí)鐘周期測(cè)量模式 ? 增強(qiáng)性捕捉、比較和可編程“死區(qū)”時(shí)間的 PWM 模塊 i. 時(shí)鐘源可選：系統(tǒng)時(shí)鐘或者是內(nèi)部 32MHz 時(shí)鐘 ii. 單次脈沖模式 iii. 較多 3 對(duì)帶“死區(qū)”的 PWM 輸出 ? 4x12bit Timer，4x12bit PWM，支持 BUZZER 模式 i. 支持每組 PWM 的互補(bǔ)脈沖輸出 ii. 時(shí)鐘較快 32M iii. 外設(shè)時(shí)鐘輸出 ? 1x9bit 可編程脈沖發(fā)生器（PPG） i. 兩個(gè)重載寄存器 ii. 脈沖極性可選擇 iii. 支持脈寬限制 iv. 支持不可重復(fù)觸發(fā)模式 v. 手動(dòng)觸發(fā)方式和比較器結(jié)果觸發(fā)方式 ? 帶 7 位預(yù)分頻的 WDT，溢出頻率范圍為 16ms-256s ? 上電延遲計(jì)數(shù)器 PWRT ? 低功耗模式 SLEEP ? 多個(gè)喚醒源，外部中斷 INT、端口變化中 斷、WDT 和數(shù)據(jù) EEPROM 寫(xiě)完成, 等等 i. 可配置硬件去抖的外部中斷 INT ? 內(nèi)置高速 16M RC 振蕩器 ? 內(nèi)置低速 32K RC 振蕩器 ? 支持外部晶振 16M 或 32K, 外部時(shí)鐘模式 i. 時(shí)鐘缺失 ii. 雙速啟動(dòng)模式 ? 內(nèi)置 10 位的 ADC，支持 8 個(gè)通道 (7 個(gè)外 部通道 + 1 個(gè)內(nèi)部 1/4VDD 通道) i. 參考電壓可選：外部 Vref, VDD, 內(nèi)部 2V/3V ii. 可配置，F(xiàn)actory Option ? 內(nèi)置 6 個(gè)高速高精度比較器 i. 可編程的參考電壓 ii. 比較可直接輸出 iii. 比較結(jié)果可配置去抖 iv. 輸入失調(diào)電壓可校準(zhǔn) v. 遲滯控制 (比較器 0/1/2/3) ? 1x 運(yùn)算放大器, 支持軟件校準(zhǔn)輸入失調(diào)電壓 ? 低電壓復(fù)位 LVR： i. 2.0/2.2/2.5/2.8/3.1/3.6/4.1V ? 低電壓檢測(cè) LVD： i. 2.0/2.4/2.8/3.0/3.6/4.0V ? 3 對(duì) USB 充電端口： i. 專(zhuān)用充電端口 DC+/DCii. 充電下行端口 DA+/DA-，DB+/DBiii. 支持 QC2.0 和 QC3.0 以及蘋(píng)果、三 星設(shè)備 iv. 較多同時(shí)對(duì)兩個(gè)設(shè)備充電 v. 集成 D2I 模塊 ? 較多 18 個(gè)通用 IO, 20 個(gè)芯片管腳 i. 所有 IO 帶獨(dú)立上拉控制 ii. 4 個(gè) IO 帶獨(dú)立下拉控制 ? 下降沿中斷，RA0-RA7 ? 支持在系統(tǒng)編程 ICSP ? 支持在線調(diào)試，3 個(gè)硬件斷點(diǎn) ? 程序空間保護(hù) ? 工作電壓范圍：2.0V- 5.5V ? 較大時(shí)鐘工作頻率：16MHz i. FSYS=8MHz(2T mode): 2.0V-5.5V ii. FSYS=16MHz(2T mode): 2.7V-5.5V ? 封裝類(lèi)型：SOP14, TSSOP14, SOP16, SOIC20, SSOP20, PDIP20, QFN20